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首頁(yè) > 厚度對(duì)OLED性能的影響
發(fā)布時(shí)間：2021-10-13 文章出自：http://www.69ru.cn/
從1987年文獻(xiàn)[1]首次采用芳香二胺類衍生物為空穴傳輸材料，以8-羥基喹啉鋁(Alq3)為發(fā)光層材料，制備出高效率、高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)以來(lái)，由于其功耗低、亮度高、視角寬、響應(yīng)速度快等諸多特點(diǎn)而受到了極大的關(guān)注，有機(jī)電致發(fā)光(EmissiveLayer，EL)的研究已經(jīng)成為當(dāng)前發(fā)光顯示領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。人們從發(fā)光材料、制備工藝，到發(fā)光機(jī)理、器件結(jié)構(gòu)等各個(gè)方面進(jìn)行了大量的研究工作，器件的光電性能得到了明顯提高，但是器件的發(fā)光效率和亮度等因素仍然是阻礙Oled商業(yè)化的瓶頸之一。
為了改善發(fā)光器件的光電性能，本文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作為空穴傳輸材料，Alq3作為電致發(fā)光/電子傳輸材料，制備了結(jié)構(gòu)為氧化銦錫(IndiumTinOxide，ITO)/PVK/Alq3/Mg:Ag/Al的OLED器件，研究了空穴傳輸層厚度對(duì)器件光電性能的影響，優(yōu)化了器件功能層的厚度匹配，獲得了結(jié)構(gòu)優(yōu)化的OLED器件。
1實(shí)驗(yàn)
1.1材料
實(shí)驗(yàn)選用ITO導(dǎo)電玻璃(15Ω/□)作為OLED發(fā)光二極管器件的陽(yáng)極材料，高純度金屬鎂(99.9%)、銀(99.9%)和鋁(99.999%)作為器件的陰極材料，PVK作為器件的空穴傳輸層材料，Alq3作為器件的發(fā)光層兼電子傳輸層材料。這些有機(jī)材料均購(gòu)自美國(guó)Aldirch公司，其分子結(jié)構(gòu)式可參見文獻(xiàn)[1-3]。
1.2ITO基片表面處理
制備OLED器件前，ITO基片采用洗滌劑、丙酮溶液、NaOH溶液、乙醇溶液，及去離子水超聲各清洗20min，然后利用高純氮?dú)獯蹈桑糜贠LED-V型有機(jī)多功能成膜設(shè)備的預(yù)處理室中，在250V電壓下進(jìn)行氧氣等離子體處理約30min。
1.3OLED器件制備
將不同濃度(2、3、6、9mg/ml)的PVK/氯仿溶液，用4000r/min的轉(zhuǎn)速(時(shí)間為60s)旋涂成膜于清潔的ITO基片上，得到不同厚度(4、15、30、60nm)的PVK薄膜。對(duì)于旋涂獲得的所有PVK薄膜在真空條件下烘烤大約30min，以去除薄膜中的殘留溶劑。最后在真空度為10?4Pa時(shí)，采用熱蒸發(fā)方式依次沉積有機(jī)層Alq3、合金陰極層Mg:Ag(10:1)及金屬層Al。合金Mg:Ag利用雙源共蒸技術(shù)制備而獲得，蒸發(fā)速率和膜厚通過(guò)石英晶體振蕩器監(jiān)控。有機(jī)層和金屬層的蒸發(fā)速率分別為0.2~0.4nm/s和2~4nm/s，各功能層的厚度及所制作的OLED器件結(jié)構(gòu)為ITO/PVK(0~60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag(100nm)/Al(150nm)。
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